雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀/雙電測(cè)四探針檢測(cè)儀 型號(hào):DP-2263

概述
DP-2263型雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)-改形范德堡測(cè)量方法測(cè)試電阻率/方阻的多用途綜合測(cè)量?jī)x器。該儀器符合單晶硅物理測(cè)試方法家標(biāo)準(zhǔn)并參考美 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)行雙電測(cè)分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，它與單電測(cè)直線或方形四探針相比，大大提度，特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。
儀器成套組成：由主機(jī)、選配的四探針探頭、測(cè)試臺(tái)以及PC軟件等分組成。
主機(jī)主要由恒流源、分辨率ADC、嵌入式單片機(jī)系統(tǒng)組成，USB通訊接口。儀器主機(jī)所有參數(shù)設(shè)定、能轉(zhuǎn)換采用數(shù)字化鍵盤和數(shù)碼開關(guān)輸入；具有零位、滿度自校能；測(cè)試能可自動(dòng)/手動(dòng)方式；儀器操作可由配套軟件在PC機(jī)上操作成，也可脫P(yáng)C機(jī)由四探針儀器面板上立操作成。測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)由主機(jī)數(shù)碼管直接顯示，也可連機(jī)由軟件界面同步顯示、分析、保存和打印！
探頭選配：根據(jù)不同材料特性需要，探頭可有多款選配。有耐磨碳化鎢探針探頭，以測(cè)試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；也有形鍍金銅合金探針探頭，可測(cè)柔性材料導(dǎo)電薄膜、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）或納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻。換上四端子測(cè)試夾具，還可對(duì)電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻行測(cè)量。
測(cè)試臺(tái)選配：般四探針法測(cè)試電阻率/方阻配DP-A或DP-B或DP-C或DP-F型測(cè)試臺(tái)。
詳見《四探針儀器、探頭和測(cè)試臺(tái)的特點(diǎn)與選型參考》
儀器具有測(cè)量度、靈敏度、穩(wěn)定性好、化程度、測(cè)量簡(jiǎn)便、結(jié)構(gòu)緊湊、使用方便等特點(diǎn)。
儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠、科研單位、等院校對(duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體、類半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試，特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。
三、基本參數(shù)
3.1  測(cè)量范圍
電阻率：1×10-4～2×105 Ω-cm，分辨率：1×10-5～1×102 Ω-cm
方  阻：5×10-4～1×106 Ω/□，分辨率：5×10-5～1×102 Ω/□
電  阻：1×10-5～2×105 Ω   ，分辨率：1×10-6～1×102 Ω
3.2  材料尺寸(由選配測(cè)試臺(tái)決定和測(cè)試方式?jīng)Q定)
直    徑：DP-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15～130mm，手持方式不限
DP-B/C/F方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm，手持方式不限.
長(zhǎng)()度：測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm,    手持方式不限.
測(cè)量方位: 軸向、徑向均可

 量程劃分及誤差等級(jí)

四探針探頭（選配其或加配）
(1)碳化鎢探針：Φ0.5mm，直線探針間距1.0mm，探針壓力: 0～2kg 可調(diào)
(2)薄膜方阻探針：Φ0.7mm，直線或方形探針間距2.0mm，探針壓力: 0～0.6kg 可調(diào)
3.6 電源
輸入: AC 220V±10% ,50Hz   耗：<20W
3.7 外形尺寸：
主機(jī)  220mm（長(zhǎng)）×245 mm（寬）×100mm（）